檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "electrical property".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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The nitride-based material had excellent properties such as high thermal conductivity, high electro…
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Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) semiconductor compound showing record photovoltaic conversion efficiencies nea…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材，採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜，並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本研究使用電沉積技術成功製備出具高電催化特性的雙功能NiFe-LDH/Ni(OH)2雙層薄膜，並在實驗中，探討不同的層狀雙氫氧化物的電催化性能，以及不同的電沉積參數對薄膜的電化學特性與表面特徵之影響…
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Meeting the increasing demand for cleaner and cheaper energy sources has recently lead to unprecede…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…